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题名/责任者:

纳米CMOS器件及电路的辐射效应/刘保军, 刘小强, 刘忠永著

出版发行项:

北京:电子工业出版社,2021

ISBN及定价:

978-7-121-40841-0/CNY79.00

载体形态项:

253页:图;24cm

个人责任者:

刘保军, 1984- 著

个人责任者:

刘小强 著

个人责任者:

刘忠永 著

学科主题:

半导体器件-纳米材料

中图法分类号:

TN303

责任者附注:

刘保军, 男, 1984年出生, 山西灵丘人, 博士, 副教授, 主要研究方向为微纳电子器件与电路的辐射效应、可靠性评估等, 任国内外多家期刊的编委和审稿专家。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书主要介绍广泛存在的各种辐射对纳米CMOS器件及其电路的影响, 涵盖了各种辐射环境分析、电离损伤机理研究、纳米器件的总剂量效应和单粒子效应的建模仿真、辐射效应对纳米电路的影响及辐照实验设计等, 综合考虑器件特征尺寸缩减对辐射效应的影响, 从器件、电路角度建模分析, 给出了纳电子器件及其电路的辐射效应的分析方法和思路。本书对高“k”栅介质对纳米CMOS器件的辐射效应的影响、新兴的纳米FinFET及纳米线的辐射效应、器件级加固技术进行了分析和讨论, 还给出了单粒子串扰的建模方法以及数字电路在单粒子效应下的软错误率评估方法。

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