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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:8

题名/责任者:
CMOS模拟集成电路设计/(美) Phillip E. Allen, Douglas R. Holberg著
版本说明:
第2版
出版发行项:
北京:电子工业出版社,2021
ISBN及定价:
978-7-121-41926-3/CNY119.00
载体形态项:
580页:图;26cm
其它题名:
英文版
丛编项:
国外电子与通信教材系列
个人责任者:
艾伦 ( Allen, Phillip E.)
个人责任者:
霍尔伯格 (Holberg, Douglas R.)
学科主题:
CMOS电路-模拟集成电路-电路设计-计算机仿真-高等学校-教材-英文
中图法分类号:
TN432.02
一般附注:
经典教材
出版发行附注:
由牛津大学出版社授权出版
责任者附注:
Allen规范汉译性: 艾伦 Holberg规范汉译性: 霍尔伯格
书目附注:
有书目
原作版本附注:
据原书第3版影印
提要文摘附注:
本书对CMOS模拟电路设计的原理和技术以及容易被忽略的问题进行论述。共8章, 主要介绍了模拟集成电路设计的背景知识, CMOS技术, 器件模型, 以及主要模拟电路的原理和设计, 包括CMOS子电路, 放大器, 运算放大器及高性能运算放大器, 比较器等。
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索书号 条码号 年卷期 馆藏地 书刊状态 还书位置
TN432.02/A494B 004232874   工业技术书库     可借 工业技术书库
TN432.02/A494B 004232875   工业技术书库     可借 不定馆藏地
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