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题名/责任者:

半导体干法刻蚀技术/(日) 野尻一男著 王文武 ... [等] 译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2024.01

ISBN及定价:

978-7-111-74202-9/CNY89.00

载体形态项:

X, 161页:图;24cm

统一题名:

はじめての半導体ドライエッチング技術

丛编项:

集成电路科学与工程丛书

个人责任者:

野尻一男, 1973- 著

个人次要责任者:

王文武 译

学科主题:

半导体技术-干法刻蚀

中图法分类号:

TN305.7

一般附注:

泛林集团日本公司CTO四十多年研发经验的结晶系统理解刻蚀基础、设备及应用的实践指南

版本附注:

据原书第2版译出

版本附注:

由Gijutsu-Hyoron Co., Ltd.授权出版

相关题名附注:

原文题名取自封面

责任者附注:

野尻一男, 1973年于群马大学工学部电子工学科本科毕业, 1975年于群马大学工学研究科硕士毕业。1975年加入日立制作所, 在半导体事业部从事CVD、器件集成、干法刻蚀的研究开发 ; 特别是对ECR等离子刻蚀和充电损伤进行了开创性研究 ; 作为技术开发领域的领导者, 他还担任过多个管理职位。王文武, 研究员、博士生导师, 现任职于中国科学院重大科技任务局。2006年于日本东京大学获得工学博士学位。长期致力于集成电路先进工艺与器件技术研究, 先后主持多项国家级科研任务, 发表论文两百余篇, 授权发明专利六十余项。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书不仅介绍了半导体器件中所涉及材料的刻蚀工艺, 而且对每种材料的关键刻蚀参数、对应的等离子体源和刻蚀气体化学物质进行了详细解释。本书讨论了具体器件制造流程中涉及的干法刻蚀技术, 介绍了半导体厂商实际使用的刻蚀设备的类型和等离子体产生机理, 例如电容耦合型等离子体、磁控反应离子刻蚀、电子回旋共振等离子体和电感耦合型等离子体, 并介绍了原子层沉积等新型刻蚀技术。

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