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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:3

题名/责任者:
硅基应变半导体物理/宋建军, 杨雯, 赵新燕著
出版发行项:
西安:西安电子科技大学出版社,2019
ISBN及定价:
978-7-5606-5294-8/CNY23.00
载体形态项:
132页:图;26cm
个人责任者:
宋建军
个人责任者:
杨雯
个人责任者:
赵新燕
学科主题:
硅基材料-半导体物理学-研究
中图法分类号:
O47
一般附注:
西安电子科技大学研究生精品教材建设项目
书目附注:
有书目 (第130-132页)
提要文摘附注:
本书共6章, 主要介绍了硅基应变半导体物理的相关内容, 重点讨论了如何建立硅基应变材料能带结构与载流子迁移率模型, 并分析了应变对硅基应变材料能带结构与载流子迁移率的影响。通过本书的学习, 可为读者以后学习应变器件物理奠定重要的理论基础。
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索书号 条码号 年卷期 馆藏地 书刊状态 还书位置
O47/S421 004197824   自然科学书库     可借 自然科学书库
O47/S421 004197825   自然科学书库     可借 自然科学书库
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