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题名/责任者:

半导体干法刻蚀技术:原子层工艺/(美) 索斯藤·莱尔著 丁扣宝译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2023.09

ISBN及定价:

978-7-111-73426-0/CNY119.00

载体形态项:

XIV, 225页:图;24cm

统一题名:

Atomic layer processing : semiconductor dry etching technology

其它题名:

原子层工艺

丛编项:

集成电路科学与工程丛书

个人责任者:

莱尔 (Lill, Thorsten) 著

个人次要责任者:

丁扣宝 译

学科主题:

半导体工艺-干法刻蚀

中图法分类号:

TN305.7

出版发行附注:

由Wiley授权出版

相关题名附注:

原文题名取自封面

责任者附注:

Thorsten Lill博士, 美国泛林集团 (Lam Research) 新兴刻蚀技术和系统事业部副总裁。他在德国弗莱堡大学获得物理学博士学位, 并在美国阿贡国家实验室进行博士后研究。他在该领域发表了88篇文章, 拥有89项专利。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

集成电路制造向几纳米节点工艺的发展, 需要具有原子级保真度的刻蚀技术, 原子层刻蚀 (ALE) 技术应运而生。本书主要内容有: 热刻蚀、热各向同性ALE、自由基刻蚀、定向ALE、反应离子刻蚀、离子束刻蚀等, 探讨了尚未从研究转向半导体制造的新兴刻蚀技术, 涵盖了定向和各向同性ALE的全新研究和进展。本书以特定的刻蚀应用作为所讨论机制的示例, 例如栅极刻蚀、接触孔刻蚀或3DNAND通道孔刻蚀, 有助于对所有干法刻蚀技术的原子层次理解。

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