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题名/责任者:

CMOS集成电路闩锁效应/温德通编著

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2020

ISBN及定价:

978-7-111-64587-0/CNY99.00

载体形态项:

XVI, 230页:彩图;24cm

并列正题名:

Latch-up in CMOS intergrated circuits

丛编项:

IC工程师精英课堂

个人责任者:

温德通 编著

学科主题:

CMOS电路-静电防护-电路设计

学科主题:

CMOS电路-短路电流-测试方法

中图法分类号:

TN432.02

中图法分类号:

TN432.07

中图法分类号:

TN432

相关题名附注:

封面题英文并列题名：Latch-up in CMOS intergrated circuits

责任者附注:

温德通，ESD设计工程师，毕业于西安电子科技大学科技大学微电子学院，从事集成电路工艺制程整合，器件、闩锁效应和ESD电路设计方向工作十余年。

提要文摘附注:

本书通过具体案例和大量彩色图片，对CMOS集成电路设计与制造中存在的闩锁效应（Latch-up）问题进行了详细介绍与分析。在介绍了CMOS集成电路寄生效应的基础上，先后对闩锁效应的原理、触发方式、测试方法、定性分析、改善措施和设计规则进行了详细讲解，随后给出了工程实例分析和寄生器件的ESD应用，为读者提供了一套理论与工程实践相结合的闩锁效应测试和改善方法。

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