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题名/责任者:

纳米晶体管:器件物理学, 建模和仿真/Mark Lundstrom, Jing Guo著

出版发行项:

北京:科学出版社,2007.1

ISBN及定价:

7-03-018242-1/CNY35.00

载体形态项:

217页:图;24cm

并列正题名:

Device physics modeling and simulation

其它题名:

器件物理学, 建模和仿真

丛编项:

微纳技术著作丛书:影印版

个人责任者:

伦德斯特姆 (Lundstrom, Mark) 著

个人责任者:

郭晶 著

学科主题:

纳米材料-晶体管-英文

中图法分类号:

TN325

责任者附注:

责任者Lundstrom规范汉译姓: 伦德斯特姆; 编目员自译Jing Guo汉译姓为: 郭晶

书目附注:

有书目和索引

提要文摘附注:

近几十年来, 晶体管的尺度发展一直是推动电子学的动力, 各种分子尺度的器件已经出现, 甚至有取代硅晶体管的趋势。本书详细介绍了纳米晶体管的理论、建模与仿真, 内容包括弹道纳米晶体管的弹道传输和量子效应, MOSFET的散射理论等。为了详细说明纳米晶体管, 本书还提供了已被详尽数值仿真所证实的简单的物理图片及半解析模型。

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