安徽理工大学图书馆书目检索系统

Online Public Access Catalogue

题名/责任者:

晶体生长中输运现象及晶体缺陷/方海生, 刘胜著

出版发行项:

北京:科学出版社,2019

ISBN及定价:

978-7-03-061162-8 精装/CNY168.00

载体形态项:

xii, 351页:图;25cm

并列正题名:

Transport phenomena during crystal growth and crystal defects

个人责任者:

方海生 著

个人责任者:

刘胜 著

学科主题:

晶体生长-输运过程

学科主题:

晶体缺陷

中图法分类号:

O78

中图法分类号:

O77

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书首先阐述晶体生长的基本原理和输运现象, 并介绍计算流体力学方法; 其次着重讨论薄膜制备中传热和传质现象, 包括薄膜制备系统的复杂化学反应机理, 并介绍与传热和传质相关的晶体缺陷; 然后, 以多晶硅、蓝宝石、氮化镓等应用广泛的晶体为例, 讨论块状晶体、薄膜晶体制备过程的研究方法和优化策略; 最后, 书中进一步讨论从分子动力学角度理解开裂、位错等晶体缺陷形成的机理, 以及采用第一性原理辅助的分子动力学方法预测热物性参数的理论。

豆瓣简介：