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MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：2

题名/责任者:
碳化硅宽带隙半导体技术/郝跃,彭军,杨银堂编著
出版发行项:
北京:科学出版社,2000
ISBN及定价:
7-03-008243-5/CNY24.00
载体形态项:
288页:图;21cm
丛编项:
微电子学丛书
个人责任者:
郝跃, 1958- 编著
个人责任者:
彭军 (半导体技术)
个人责任者:
杨银堂 (微处理机) 编著
学科主题:
Ⅳ-技术-Ⅵ族化合物半导体
中图法分类号:
TN304
中图法分类号:
TN304.2
一般附注:
全国高技术重点图书·微电子技术领域
书目附注:
有书目
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索书号 条码号 年卷期 馆藏地 书刊状态 还书位置
TN304/H934 004180867   密集书库     可借 密集书库
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