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题名/责任者:

用于集成电路仿真和设计的FinFET建模:基于BSIM-CMG标准/(印度) 尤盖希·辛格·楚罕 ... [等] 著 陈铖颖, 张宏怡, 荆有波译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2020.09

ISBN及定价:

978-7-111-65981-5/CNY99.00

载体形态项:

239页:图;24cm

并列正题名:

Using the BSIM-CMG standard

其它题名:

基于BSIM-CMG标准

丛编项:

微电子与集成电路先进技术丛书

个人责任者:

楚罕 (Chauhan, Yogesh Singh) 著

个人次要责任者:

陈铖颖 译

个人次要责任者:

张宏怡 译

个人次要责任者:

荆有波 译

学科主题:

集成电路-电路设计-系统建模

中图法分类号:

TN402

题名责任附注:

题名页题其余责任者: 达森·杜安·卢, 史利南库马尔·维努戈帕兰, 苏拉布·坎德瓦尔, 胡安·帕布鲁·杜阿尔特, 纳韦德·帕瓦多斯等

出版发行附注:

由Elsevier Inc.授权出版

相关题名附注:

英文题名取自封面

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书从三维结构的原理、物理效应入手, 详细讨论了FinFET紧凑模型 (BSIM-CMG) 产生的背景、原理、参数以及实现方法 ; 同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。本书避开了繁杂的公式推导, 而进行了更为直接的机理分析, 力求使得读者从工艺、器件层面理解BSIM-CMG的特点和使用方法。

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