安徽理工大学图书馆书目检索系统

Online Public Access Catalogue

题名/责任者:

硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究/杜文汉著

出版发行项:

镇江:江苏大学出版社,2018

ISBN及定价:

978-7-5684-1030-4/CNY35.00

载体形态项:

123页:图;22cm

并列正题名:

Investigation on the interface and surface reconstruction of bufferlayer of high k oxide on silicon surface

丛编项:

新材料研究系列丛书

个人责任者:

杜文汉 著

学科主题:

硅-半导体材料-固体物理学-研究

中图法分类号:

TN304.1

出版发行附注:

本书由江苏高校品牌专业建设工程资助项目 (TAPP, 项目负责人: 朱锡芳, PPZY2015B129)、“十三五”江苏省重点学科项目-电气工程重点建设学科、2016年度江苏省高校重点实验室建设项目-特种电机研究与应用重点建设实验室、常州市智能感知与无人机应用技术研究重点实验室 (CM20173003)、常州市新能源材料国际联合实验室 (CZ20180015)、常州工学院自然科学基金项目 (YN1710)、江苏省产学研合作项目 (BY2018150) 资助出版

责任者附注:

杜文汉, 常州工学院教师, 现任电气与光电工程学院新能源科学与工程系主任, 副教授, 高级工程师, 中国微米纳米技术学会高级会员。

书目附注:

有书目 (第113-123页)

提要文摘附注:

借助STM这个可以提供原子尺度结构和电子态的有力工具, 本书对Sr/Si体系进行了深入的研究, 主要分为以下3个部分: (1) 第一部分: Si (100) 衬底上的 Sr/Si再构; (2) 第二部分: Si (111) 衬底上的Sr/Si 再构;(3) 第三部分: 超薄SrTiO3膜的高温晶化。

豆瓣简介：