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题名/责任者:

氮化镓晶体生长技术/(日) 德克·埃伦特劳特, (德) 埃尔克·迈斯纳, (波) 迈克尔·博科夫斯基著 王党会, 许天旱译

出版发行项:

北京:中国石化出版社,2021

ISBN及定价:

978-7-5114-6521-4/CNY88.00

载体形态项:

232页:图;26cm

统一题名:

Technology of gallium nitride crystal growth

个人责任者:

埃伦特劳特 (Ehrentraut, Dirk) 著

个人责任者:

迈斯纳 (Meissner, Elke) 著

个人责任者:

博科夫斯基 (Bockowski, Michal) 著

个人次要责任者:

王党会 译

个人次要责任者:

许天旱 译

学科主题:

氮化镓-晶体生长-工艺学

中图法分类号:

O782

一般附注:

西安石油大学“优秀学术著作出版基金”资助项目

版本附注:

据2010年英文版译出

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书内容涵盖了第三代宽禁带半导体材料GaN晶体的生长方法、原理及实现技术，包括GaN晶体的应用前景、GaN晶体的卤化物气相外延生长技术、籽晶法生长Gain晶体、真空辅助技术生长自支撑GaN衬底、卤化物气相外延生长非极性与半极性CaN晶体、金属有机化学气相外延的高速率生长CaN晶体、热氨法生长GaN晶体、高/低压环境下的GaN晶体生长技术、Na流量法生长大尺寸GaN技术简介及GaN晶体的表征方法等内容。

使用对象附注:

本书适用于微电子与半导体材料与器件、材料相关专业的高年级本科生及研究生

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