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题名/责任者:

嵌入式存储器架构、电路与应用/曾晓洋, 薛晓勇, 温亮著

出版发行项:

北京:龙门书局,2020

ISBN及定价:

978-7-5088-5710-7 精装/CNY99.00

载体形态项:

171页:图;25cm

丛编项:

集成电路设计丛书

个人责任者:

曾晓洋 著

个人责任者:

薛晓勇 著

个人责任者:

温亮 著

学科主题:

高速缓冲存贮器-架构

学科主题:

高速缓冲存贮器-电路设计

中图法分类号:

TP333.1

一般附注:

国家出版基金项目 “十三五”国家重点出版物出版规划项目

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书系统介绍当前主流的嵌入式存储器和近年兴起的新型嵌入式存储器, 前者包括SRAM、eDRAM和eFlash, 后者包括ReRAM、PRAM、MRAM和FeRAM等。在内容安排上, 书中侧重介绍各类嵌入式存储器的单元结构、阵列、电路技术以及应用。

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