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MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:8

题名/责任者:
半导体材料及器件辐射缺陷与表征方法/李兴冀 ... 等编著
出版发行项:
哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社,2023
ISBN及定价:
978-7-5767-0544-7 精装/CNY128.00
载体形态项:
401页:彩图;24cm
并列正题名:
Characterization methods for radiation induced defects in semiconductor materials and devices
丛编项:
材料与器件辐射效应及加固技术研究著作
个人责任者:
李兴冀 编著
个人责任者:
杨剑群 编著
个人责任者:
徐晓东 编著
学科主题:
半导体材料-研究
学科主题:
半导体器件-研究
中图法分类号:
TN304
一般附注:
国家出版基金项目 国家出版基金资助项目
题名责任附注:
题名页题其余责任者:杨剑群、徐晓东、应涛
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
本书共分为4章,系统闸述了辐射诱导半导体缺陷的相关理论,数值模拟方法,表征技术及应用。
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索书号 条码号 年卷期 馆藏地 书刊状态
TN304/L881 004334349   工业技术书库     可借
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