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题名/责任者:

高压厚膜SOI-LIGBT器件关键技术:key technologies/张龙, 孙伟锋, 刘斯扬等著

出版发行项:

北京:人民邮电出版社,2023

ISBN及定价:

978-7-115-58481-6 精装/CNY149.00

载体形态项:

201页:图 (部分彩图);25cm

并列正题名:

High-voltage LIGBT on thick SOI:key technologies

丛编项:

电子信息前沿专著系列

个人责任者:

张龙 著

个人责任者:

孙伟锋 著

个人责任者:

刘斯扬 著

学科主题:

厚膜-半导体功能器件-研究

中图法分类号:

TN389

一般附注:

“十四五”时期国家重点项目出版物出版专项规划项目 国家出版基金项目

责任者附注:

张龙, 2010年于中国矿业大学获学士学位, 2013年、2018年于东南大学分别获硕士、博士学位, 2018-2020年在东南大学从事博士后研究工作, 目前为东南大学至善青年学者, 副教授, 博士生导师, 博士论文曾入选2019年度中国电子学会优秀博士学位论文, 主要研究方向为功率半导体集成工艺及器件。孙伟锋, 2000年、2003年、2007年于东南大学分别获学士、硕士及博士学位, 目前为东南大学首席教授, 国家高层次人才, 江苏省特聘教授, 博士生导师。主要研究方向为功率半导体集成电路。刘斯扬, 2008年于合肥工业大学获学士学位, 2011年、2015年于东南大学分别获硕士、博士学位, 2015至2017年在东南大学从事博士后研究工作, 目前为东南大学青年首席教授, 国家高层次人才, 博士生导师, 博士论文曾入选2016年度中国电子学会优秀博士学位论文。主要研究方向为功率半导体集成工艺、器件及可靠性。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书共7章: 首先介绍了高压厚膜SOI-LIGBT器件的工作原理, 分析了器件的耐压、导通、关断原理; 然后围绕高压厚膜SOI-LIGBT器件的关键技术, 研究了高压互连线屏蔽技术、电流密度提升技术和快速关断技术三大类技术, 分析了U型沟道电流密度提升技术、双沟槽互连线屏蔽技术、复合集电极快速关断技术等9种技术; 围绕高压厚膜SOI-LIGBT器件的鲁棒性, 研究了关断失效、短路失效、开启电流过冲、低温特性漂移; 最后探讨了高压厚膜SOI-LIGBT器件的工艺和版图。

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