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题名/责任者:

掺杂GaN纳米线制备技术/崔真, 吴辉, 李恩玲著

出版发行项:

北京:冶金工业出版社,2023

ISBN及定价:

978-7-5024-9640-1/CNY72.00

载体形态项:

158页:图;24cm

并列正题名:

Preparation technology of doped GaN nanowires

个人责任者:

崔真 著

个人责任者:

吴辉 著

个人责任者:

李恩玲 著

学科主题:

纳米材料-研究

中图法分类号:

TB383

相关题名附注:

英文并列题名取自封面

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书共分9章, 主要内容包括各种元素掺杂GaN纳米线的制备工艺与性能测试。对掺杂可以改善GaN纳米线电学特性的原因进行了讨论。另外, 还介绍了AIN包覆GaN纳米线的制备及表征, 分析了AlN包覆GaN纳米线的形成机理。本书内容涉及物理、化学、材料和电子信息等多个领域的相关知识, 书中详细地给出了各种掺杂GaN纳米线制备的最佳工艺, 以便读者更好地了解本书的内容。

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