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题名/责任者:

改性锗半导体物理/宋建军, 冒剑军, 薛笑欢编著

出版发行项:

西安:西安电子科技大学出版社,2020

ISBN及定价:

978-7-5606-5951-0/CNY20.00

载体形态项:

106页:图;26cm

个人责任者:

宋建军 编著

个人责任者:

冒剑军 编著

个人责任者:

薛笑欢 编著

学科主题:

锗-改性-半导体物理

中图法分类号:

TN304.1

一般附注:

西安电子科技大学研究生精品教材建设项目

书目附注:

有书目 (第106页)

提要文摘附注:

本书主要面向微电子学与固体电子学专业, 讲解介绍改性Ge半导体物理相关内容, 不仅可拓展相关读者的知识面, 更可为读者从事相关研究提供重要技术参考。本书共7章, 包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗mMOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习, 可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。

使用对象附注:

高等院校微电子学与固体电子学专业研究生

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