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题名/责任者:

IGBT疲劳失效机理及其健康状态监测/肖飞 ... [等] 编著

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2019

ISBN及定价:

978-7-111-63407-2/CNY59.00

载体形态项:

232页:图;24cm

个人责任者:

肖飞 编著

个人责任者:

刘宾礼 编著

个人责任者:

罗毅飞 编著

学科主题:

绝缘栅场效应晶体管-疲劳机理-监测

中图法分类号:

TN386.2

题名责任附注:

题名页题其余责任者：刘宾礼，罗毅飞，黄永乐

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书通过详细分析IGBT芯片与封装疲劳失效机理，在研究失效特征量随疲劳老化时间变化规律的基础之上，通过将理论分析与解析描述相结合，建立了IGBT相关电气特征量的健康状态监测方法，对处于不同寿命阶段的IGBT器件健康状态进行有效评估。

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