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题名/责任者:

宽禁带半导体电子材料与器件/沈波, 唐宁编著

出版发行项:

北京:科学出版社,2021

ISBN及定价:

978-7-03-067440-1/CNY150.00

载体形态项:

xi, 316页:图;24cm

并列正题名:

Electronic materials and devices of wide band gap semiconductors

丛编项:

先进功能材料丛书

个人责任者:

沈波 编著

个人责任者:

唐宁 编著

学科主题:

禁带-半导体材料

学科主题:

禁带-半导体器件

中图法分类号:

TN304.2

相关题名附注:

英文并列题名取自封面

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

宽禁带半导体电子材料与器件沈波唐宁编著北京宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质，不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性，而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的最优选半导体体系，在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。全书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件，从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。

使用对象附注:

从事半导体材料领域研究和生产的科技工作者、企业工程师、研究生和高年级大学生

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