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题名/责任者:

纳米数字集成电路的偏差效应分析与优化:从电路级到系统级/靳松, 韩银和著

出版发行项:

北京:清华大学出版社,2019.06

ISBN及定价:

978-7-302-52299-7/CNY69.00

载体形态项:

181页:图;24cm

并列正题名:

Analysis and optimization on large-scale CMOS integrated circuits in the presence of parameter variability:from circuit-level to system level

其它题名:

从电路级到系统级

个人责任者:

靳松 著

个人责任者:

韩银和 著

学科主题:

纳米材料-数字集成电路-研究

中图法分类号:

TN431.2

责任者附注:

靳松, 博士, 硕士生导师。任教于华北电力大学电气与电子工程学院电子与通信工程系。韩银和, 博士, 研究员。2006年在中国科学院计算技术研究所计算所获得博士学位, 随后进入中国科学院计算技术研究所计算机体系结构国家重点实验室工作。

书目附注:

有书目 (第169-181页)

提要文摘附注:

本文的主要内容涉及了在纳米工艺下较为严重的晶体管老化效应-负偏置温度不稳定性和制造过程中引起的参数偏差。介绍了参数偏差效应产生的物理机制及对电路服役期可靠性的影响, 并提出了从电路级到系统级的相应的分析、预测和优化方法。

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