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题名/责任者:

宇航MOSFET器件单粒子辐射加固技术与实践/付晓君 ... [等] 编著

出版发行项:

哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社,2023.05

ISBN及定价:

978-7-5767-0541-6 精装/CNY98.00

载体形态项:

250页:图;24cm

并列正题名:

Single event effect hardening technique and practice on aerospace power MOSFETs

丛编项:

材料与器件辐射效应及加固技术研究著作

个人责任者:

付晓君 编著

学科主题:

功率MOSFET-抗辐射性-研究

中图法分类号:

TN323

一般附注:

国家出版基金资助项目

题名责任附注:

题名页题其余责任者: 魏佳男, 吴昊, 唐昭焕, 谭开洲

书目附注:

有书目和索引

提要文摘附注:

本书系统介绍宇航MOSFET器件的单粒子效应机理和加固技术。全书共6章, 主要内容包括空间辐射环境与基本辐射效应、宇航MOSFET器件的空间辐射效应及损伤模型、宇航MOSFET器件抗单粒子辐射加固技术、宇航MOSFET器件测试技术与辐照试验, 并以一款宇航VDMOS器件为实例, 详述了抗单粒子加固样品的结构设计和制造工艺细节, 最后介绍宇航MOSFET器件的应用及发展趋势。

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