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题名/责任者:

纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计/(美) Sandip Kundu, (印) Aswin Sreedhar著 王昱阳, 谢文遨译

出版发行项:

北京:科学出版社,2014

ISBN及定价:

978-7-03-040034-5/CNY58.00

随书附盘:

载体形态项:

261页:图;24cm

统一题名:

Nanoscale CMOS VLSI circuits design for manufacturability

个人责任者:

孔杜 (Kundu, Sandip) 著

个人责任者:

斯里达兰 (Sreedhar, Aswin) 著

个人次要责任者:

王昱阳 译

个人次要责任者:

谢文遨 译

学科主题:

纳米材料-CMOS电路-超大规模集成电路-电路设计-教材

中图法分类号:

TN432.02

出版发行附注:

本授权中文简体字翻译版由麦格劳-希尔 (亚洲) 教育出版公司和中国科技出版传媒股份有限公司合作出版

相关题名附注:

英文题名原文取自版权页

责任者附注:

责任者Kundu规范汉译姓: 孔杜; 责任者Sreedhar规范汉译姓: 斯里达兰

责任者附注:

Sandip Kundu: 马萨诸塞大学阿姆赫斯特分校电气与计算机工程系的教授, 专业从事VLSI设计与测试。Aswin Sreedhar: 马萨诸塞大学阿姆赫斯特分校电气与计算机工程系的研究助理, 他的研究兴趣是面向VLSI系统的可制造性和电路可靠性设计的统计技术。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书的内容包括: CMOSVLSI电路设计的技术趋势; 半导体制造技术; 光刻技术; 工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模; 面向可制造性的物理设计技术; 测量、制造缺陷和缺陷提取; 缺陷影响的建模和合格率提高技术; 物理设计和可靠性; DFM工具和DFM方法。

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