检索到 15 条 分类号=TN304.1 的结果
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中文图书1.金刚石半导体器件前沿技术 TN304.1/Z417
馆藏复本：2
可借复本：2 张金风 ... [等] 著
西安电子科技大学出版社 2022
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中文图书2.改性锗半导体物理 TN304.1/S421
馆藏复本：3
可借复本：3 宋建军, 冒剑军, 薛笑欢编著
西安电子科技大学出版社 2020
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中文图书3.半导体材料硅的生产 73.72/343
馆藏复本：9
可借复本：9 冶金部北京有色金属设计院编
中国工业出版社 1970
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中文图书4.硅锗单晶的制备 73.17/1325, TN304.105.3/B415, 73.17/1...
馆藏复本：8
可借复本：8 北京电子管厂《硅锗单晶的制备》编写小组编
燃料化学工业部出版社 1970
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中文图书5.硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究 TN304.1/D849
馆藏复本：5
可借复本：5 杜文汉著
江苏大学出版社 2018
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中文图书6.硅片的超精密磨削理论与技术 TN304.1/G254
馆藏复本：3
可借复本：3 郭东明, 康仁科著
电子工业出版社 2019
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中文图书7.半导体材料硅 TN304.1/Q375
馆藏复本：2
可借复本：2 清华大学无线电电子学系半导体教研组选译
科学出版社 1962
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中文图书8.超纯硅的制备和分析 TN304.1/Y751
馆藏复本：2
可借复本：2 杨善济等编译
科学出版社 1964
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中文图书9.硅材料制备 73.67/3542, TN304.105/B263
馆藏复本：3
可借复本：3 《半导体器件制造技术丛书》编写组编
国防工业出版社 1972
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西文图书10.1989 IEEE SOS/SOI Technology Conference, October 3-5, 1989, High Sierra Hotel, Stateline, Nevada... TN304.1/I22-3
馆藏复本：1
可借复本：1 IEEE SOS/SOI Technology Conference
Institute of Electrical and Electronics Engineers, c1989.
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西文图书11.1990 IEEE SOS/SOI Technology Conference, October 2-4, 1990, Marriott's Casa Marina Resort, Key We... TN304.1/I22-2
馆藏复本：1
可借复本：1 IEEE SOS/SOI Technology Conference
Institute of Electrical and Electronics Engineers, c1990.
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西文图书12.Computer methods in image analysis / TN304.1/I22, 73.82Q3
馆藏复本：3
可借复本：3 IEEE Computer Society.
IEEE Press : sole worldwide distributor (exclusive of IEEE) Wiley, c1977.
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西文图书13.Aggregation phenomena of point defects in silicon / TN304.101-53/S621
馆藏复本：1
可借复本：1 Sirtl, Erhard,
Electrochemical Society, Inc., c1983.
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中文图书14.用硅烷法制取半导体硅 73.172/2311
馆藏复本：7
可借复本：7 长沙玻璃厂,湖南省革命委员会生产指挥组科技情报服务站编
湖南人民出版社 1971
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中文图书15.半导体硅材料基础.第2版 TN304.1/Y419B
馆藏复本：3
可借复本：3 尹建华, 李志伟主编
化学工业出版社 2012.02
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