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• 010 __ |a 978-7-5767-0545-4 |b 精装 |d CNY108.00

• 099 __ |a CAL 012024009378

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• 200 1_ |a 模拟/混合信号集成电路抗辐照技术与实践 |A mo ni / hun he xin hao ji cheng dian lu kang fu zhao ji shu yu shi jian |d = Radiation-hardening techniques and practices for analog/mixed-signal integrated circuits |f 黄晓宗 ... 等编著 |z eng

• 210 __ |a 哈尔滨 |c 哈尔滨工业大学出版社 |d 2023

• 215 __ |a 289页 |c 图 |d 25cm

• 225 2_ |a 材料与器件辐射效应及加固技术研究著作 |A cai liao yu qi jian fu she xiao ying ji jia gu ji shu yan jiu zhu zuo

• 300 __ |a 国家出版基金项目 国家出版基金资助项目

• 304 __ |a 题名页题其余责任者：李儒章、付东兵、吴雪等

• 320 __ |a 有书目和索引

• 330 __ |a 本书系统地介绍了辐射对电子系统的损伤机理，加固技术和实践，辐射测试技术等研宽内容，并阐述了抗辐射加固技术的发展趋势。第1章和第2章介绍了辐射环境与基本辐射效应，半导体器件的辐射效应损伤机理，并介绍了SiGe HBT BiCMOS工艺的辐射特性：第3~5章介绍了从工艺，版图和电路等方面进行抗辐射加固的技术：第6章针对模拟/混合信号集成电路加固技术的案例进行了研究：第7章和第8章介绍了模拟/混合信号集成电路辐射测试技术和抗辐射加固发展趋势。

• 410 _0 |1 2001 |a 材料与器件辐射效应及加固技术研究著作

• 510 1_ |a Radiation-hardening techniques and practices for analog/mixed-signal integrated circuits |z eng

• 606 0_ |a 模拟集成电路 |A mo ni ji cheng dian lu |x 抗辐射性 |x 研究

• 606 0_ |a 混合集成电路 |A hun he ji cheng dian lu |x 抗辐射性 |x 研究

• 690 __ |a TN431.1 |v 5

• 690 __ |a TN45 |v 5

• 701 _0 |a 黄晓宗 |A huang xiao zong |4 编著

• 701 _0 |a 李儒章 |A li ru zhang |4 编著

• 701 _0 |a 付东兵 |A fu dong bing |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 百万庄 |c 20240112

• 905 __ |a AUSTL |d TN431.1/H898