机读格式显示(MARC)

• 000 01424nam0 2200349 450

• 001 0000137097

• 005 20060327160700.0

• 010 __ |a 7-5025-6802-6 |d CNY45.00

• 100 __ |a 20060205d2005 ekmy0chiy0121 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 功率半导体器件 |A gong lu^ ban dao ti qi jian |e 理论及应用 |f (捷克) 维捷斯拦夫·本达, (英) 约翰·戈沃, 邓肯 A. 格兰特著 |g 吴郁, 张万荣, 刘兴明译

• 210 __ |a 北京 |c 化学工业出版社 |d 2005

• 215 __ |a 357页 |c 图 |d 24cm

• 306 __ |a 本书中文简体字版由John Wiley & Sons Ltd.授权化学工业出版社独家出版发行

• 312 __ |a 英文题名取自版权页

• 314 __ |a 责任者Benda规范汉译姓: 本达; 责任者Gowar规范汉译姓: 戈沃; 责任者Grant规范汉译姓: 格兰特

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书较全面地讲述了现有各类重要功率半导体器件的结构、基本原理、设计原则和应用特性, 有机地将功率器件的设计、器件中的物理过程和器件的应用特性联系起来。

• 510 1_ |a Power semiconductor devices |e theory and applications |z eng

• 606 0_ |a 半导体器件 |A ban dao ti qi jian

• 690 __ |a TN303 |v 4

• 701 _1 |a 本达, |A ben da |b V. |g (Benda, Vitezslav) |4 著

• 701 _1 |a 戈沃, |A ge wo |b J. |g (Gowar, John) |4 著

• 701 _1 |a 格兰特, |A ge lan te |b D. A. |g (Grant, Duncan A.) |4 著

• 702 _0 |a 吴郁 |A wu yu |4 译

• 702 _0 |a 张万荣 |A zhang wan rong |4 译

• 801 _0 |a CN |b 三新书业 |c 20060205

• 801 _2 |a CN |b AUSTL |c 20060327

• 905 __ |a AUSTL |d TN303/B241