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• 010 __ |a 978-7-111-66352-2 |b 精装 |d CNY159.00

• 099 __ |a CAL 012020397754

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• 200 1_ |a IGBT理论与设计 |A IGBT li lun yu she ji |f (印) 维诺德·库马尔·卡纳著 |g 杨兵, 康玄武, 王杨译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2020

• 215 __ |a XVI, 413页 |c 图 |d 27cm

• 305 __ |a 据2003年英文版译出

• 306 __ |a Wiley授权出版

• 312 __ |a 原文题名取自版权页

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书首先对不同类型的IGBT工作原理进行了介绍，然后从IGBT的结构出发，给出了IGBT中MOS结构和双极型结构的工作原理，接下来说明了它们如何影响IGBT的正向传导特性，研究了IGBT模型，包括静态、动态和电热行为，讨论了IGBT中的门锁效应，以及预防门锁的详细处理方法。借助计算机辅助设计工具研究了IGBT单元的设计技术，从结构、掺杂分布、沟道长度、跨导和正向压降、导通和开关损耗、单元布图和间距，以及缓冲层优化，直至场环和场板终端设计等。

• 333 __ |a 本书适用于绝缘栅场效应晶体管研究研究人员

• 500 10 |a Insulated gate bipolar transistor IGBT theory and design |A Insulated Gate Bipolar Transistor Igbt Theory And Design |m Chinese

• 606 0_ |a 绝缘栅场效应晶体管 |A jue yuan shan chang xiao ying jing ti guan |x 研究

• 690 __ |a TN386.2 |v 5

• 701 _1 |a 卡纳 |A ka na |g (Khanna, Vinod Kumar), |f 1952- |4 著

• 702 _0 |a 杨兵 |A yang bing |4 译

• 702 _0 |a 康玄武 |A kang xuan wu |4 译

• 702 _0 |a 王杨 |A wang yang |4 译

• 801 _0 |a CN |b WHUTL |c 20201210

• 905 __ |a AUSTL |d TN386.2/K541