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- 010 __ |a 978-7-03-041664-3 |b 精装 |d CNY148.00
- 099 __ |a CAL 012014144432
- 100 __ |a 20141115d2014 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 透明氧化物半导体 |A tou ming yang hua wu ban dao ti |f 马洪磊, 马瑾著
- 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2014
- 215 __ |a x, 374页, [2] 页图版 |c 图 |d 25cm
- 225 2_ |a 半导体科学与技术丛书 |A ban dao ti ke xue yu ji shu cong shu
- 330 __ |a 本书系统地论述透明氧化物半导体薄膜的制备技术、理论基础, 分别阐述已经得到广泛应用或具有重要应用前景的八种典型氧化物半导体薄膜的晶体结构、形貌、缺陷、电子结构、电学性质、磁学性质、压电性质、气敏性质和光催化性质, 评述新兴透明氧化物电子学。
- 410 _0 |1 2001 |a 半导体科学与技术丛书
- 606 0_ |a 氧化物半导体 |A yang hua wu ban dao ti
- 701 _0 |a 马洪磊 |A ma hong lei |4 著
- 701 _0 |a 马瑾 |A ma jin |4 著
- 801 _2 |a CN |b www.buymarc.com |c 2015-01-10
- 905 __ |a AUSTL |d TN304.2/M383