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• 000 01676nam 2200325 450

• 001 0000446094

• 005 20231123170000.0

• 010 __ |a 978-7-5606-6284-8 |b 精装 |d CNY128.00

• 100 __ |a 20221205d2022 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 610000

• 105 __ |a afk a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 宽禁带半导体核辐射探测器 |A kuan jin dai ban dao ti he fu she tan ce qi |d = Wide band gap semiconductor nuclear radiation detector |f 张玉明, 郭辉, 张金风编著 |g 钱驰文参编 |z eng

• 210 __ |a 西安 |c 西安电子科技大学出版社 |d 2022

• 215 __ |a 324页, [4] 页图版 |c 图 (部分彩图) |d 25cm

• 225 2_ |a 宽禁带半导体前沿丛书 |A kuan jin dai ban dao ti qian yan cong shu

• 300 __ |a 国家出版基金项目

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书较全面地介绍了两种典型宽禁带半导体材料在核辐射探测器中的应用, 主要论述了宽禁带核辐射探测器制备及应用中的相关基础理论。本书首先介绍了近年来碳化硅、金刚石这两种颇具代表性的宽禁带半导体材料用于核辐射探测的新进展。然后介绍了辐射源、射线与探测介质相互作用的基础知识以及碳化硅、金刚石核辐射探测器的基本工作原理与结构。最后本书着重论述了碳化硅、金刚石核辐射探测器的制备过程与辐射响应, 内容包括:探测器材料制备与分析、器件制备工艺与表征、不同核辐射粒子的探测器能谱响应仿真与实验验证, 以及缺陷影响与辐照退化等。

• 410 _0 |1 2001 |a 宽禁带半导体前沿丛书

• 510 1_ |a Wide band gap semiconductor nuclear radiation detector |z eng

• 606 0_ |a 禁带 |A jin dai |x 半导体 |x 应用 |x 核辐射 |x 辐射探测器

• 690 __ |a TL81 |v 5

• 701 _0 |a 张玉明 |A zhang yu ming |4 编著

• 701 _0 |a 郭辉 |A guo hui |4 编著

• 701 _0 |a 张金风 |A zhang jin feng |4 编著

• 702 _0 |a 钱驰文 |A qian chi wen |4 参编

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20221205

• 905 __ |a AUSTL |d TL81/Z924