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• 010 __ |a 978-7-115-58481-6 |b 精装 |d CNY149.00

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• 200 1_ |a 高压厚膜SOI-LIGBT器件关键技术 |A gao ya hou mo SOI-LIGBT qi jian guan jian ji shu |d = High-voltage LIGBT on thick SOI |e key technologies |f 张龙, 孙伟锋, 刘斯扬等著 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 人民邮电出版社 |d 2023

• 215 __ |a 201页 |c 图 (部分彩图) |d 25cm

• 225 2_ |a 电子信息前沿专著系列 |A dian zi xin xi qian yan zhuan zhu xi lie

• 300 __ |a “十四五”时期国家重点项目出版物出版专项规划项目 国家出版基金项目

• 314 __ |a 张龙, 2010年于中国矿业大学获学士学位, 2013年、2018年于东南大学分别获硕士、博士学位, 2018-2020年在东南大学从事博士后研究工作, 目前为东南大学至善青年学者, 副教授, 博士生导师, 博士论文曾入选2019年度中国电子学会优秀博士学位论文, 主要研究方向为功率半导体集成工艺及器件。孙伟锋, 2000年、2003年、2007年于东南大学分别获学士、硕士及博士学位, 目前为东南大学首席教授, 国家高层次人才, 江苏省特聘教授, 博士生导师。主要研究方向为功率半导体集成电路。刘斯扬, 2008年于合肥工业大学获学士学位, 2011年、2015年于东南大学分别获硕士、博士学位, 2015至2017年在东南大学从事博士后研究工作, 目前为东南大学青年首席教授, 国家高层次人才, 博士生导师, 博士论文曾入选2016年度中国电子学会优秀博士学位论文。主要研究方向为功率半导体集成工艺、器件及可靠性。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书共7章: 首先介绍了高压厚膜SOI-LIGBT器件的工作原理, 分析了器件的耐压、导通、关断原理; 然后围绕高压厚膜SOI-LIGBT器件的关键技术, 研究了高压互连线屏蔽技术、电流密度提升技术和快速关断技术三大类技术, 分析了U型沟道电流密度提升技术、双沟槽互连线屏蔽技术、复合集电极快速关断技术等9种技术; 围绕高压厚膜SOI-LIGBT器件的鲁棒性, 研究了关断失效、短路失效、开启电流过冲、低温特性漂移; 最后探讨了高压厚膜SOI-LIGBT器件的工艺和版图。

• 410 _0 |1 2001 |a 电子信息前沿专著系列

• 510 1_ |a High-voltage LIGBT on thick SOI |e key technologies |z eng

• 606 0_ |a 厚膜 |A hou mo |x 半导体功能器件 |x 研究

• 690 __ |a TN389 |v 5

• 701 _0 |a 张龙 |A zhang long |4 著

• 701 _0 |a 孙伟锋 |A sun wei feng |4 著

• 701 _0 |a 刘斯扬 |A liu si yang |4 著

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20230926

• 905 __ |a AUSTL |d TN389/Z486