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• 005 20230323154000.0

• 010 __ |a 978-7-121-44206-3 |d CNY119.00

• 100 __ |a 20221009d2022 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 电子器件的电离辐射效应 |A dian zi qi jian de dian li fu she xiao ying |e 从存储器到图像传感器 |d = Ionizing radiation effects in electronics |e from memories to imagers |f (意) Marta Bagatin, Simone Gerardin |g 毕津顺 ... [等] 译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2022

• 215 __ |a 20, 299页 |c 图 |d 26cm

• 225 2_ |a 国防电子信息技术丛书 |A guo fang dian zi xin xi ji shu cong shu |i 集成电路辐射效应与加固技术系列

• 304 __ |a 题名页题: 毕津顺, 于庆奎, 丁李利, 李博译

• 306 __ |a 本书原版由Taylor & Francis出版集团旗下, CRC出版公司出版, 并经其授权翻译出版 本书中文简体翻译版授权由电子工业出版社独家出版

• 314 __ |a 责任者Bagatin规范汉译姓: 巴吉安; 责任者Gerardin规范汉译姓: 杰拉尔丁

• 314 __ |a Marta Bagatin, 毕业于意大利帕多瓦大学, 2006年获得电子工程专业学士学位, 2010年获得信息科学与技术专业博士学位。Simone Gerardin, 毕业于意大利帕多瓦大学, 2003年获得电子工程专业学士学位, 2007年获得电子和电信工程专业博士学位。毕津顺, 博士生导师, 贵州师范大学教授, 中国科学院微电子研究所特聘研究员。于庆奎, 中国空间技术研究院研究员。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书完整地涵盖了先进半导体的电离辐射效应, 深入探讨了抗辐射加固技术。首先介绍辐射效应的重要背景知识、物理机制、仿真辐射输运的蒙特卡罗技术和电子器件的辐射效应。重点阐述以下内容: 商用数字集成电路的辐射效应, 包括微处理器、易失性存储器 (SRAM和DRAM) 和快闪存储器; 数字电路、现场可编程门阵列 (FPGA) 和混合模拟电路中的软错误效应、总剂量效应、位移损伤效应和设计加固解决方案; 纤维光学和成像器件 (包括CMOS图像传感器和电荷耦合器件CCD) 的辐射效应。

• 410 _0 |1 2001 |a 国防电子信息技术丛书 |i 集成电路辐射效应与加固技术系列

• 500 10 |a Ionizing radiation effects in electronics : from memories to imagers |A Ionizing Radiation Effects In Electronics : From Memories To Imagers |m Chinese

• 517 1_ |a 从存储器到图像传感器 |A cong cun chu qi dao tu xiang chuan gan qi

• 606 0_ |a 电子器件 |A dian zi qi jian |x 电离辐射 |x 研究

• 690 __ |a TN6 |v 5

• 701 _1 |a 巴吉安 |A ba ji an |g (Bagatin, Marta) |4 主编

• 701 _1 |a 杰拉尔丁 |A jie la er ding |g (Gerardin, Simone) |4 主编

• 702 _0 |a 毕津顺 |A bi jin shun |4 译

• 702 _0 |a 于庆奎 |A yu qing kui |4 译

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20221009

• 905 __ |a AUSTL |d TN6/B411