机读格式显示(MARC)
- 010 __ |a 978-7-302-53134-0 |d CNY118.00
- 099 __ |a CAL 012020030863
- 100 __ |a 20200511d2020 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 三维存储芯片技术 |A san wei cun chu xin pian ji shu |f (圣马) 里诺·米歇洛尼著 |d = 3D flash memories |f Rino Micheloni |g 吴华强, 高滨, 钱鹤译 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 清华大学出版社 |d 2020
- 215 __ |a XV, 277页 |c 图 |d 26cm
- 225 2_ |a 新视野电子电气科技丛书 |A xin shi ye dian zi dian qi ke ji cong shu
- 330 __ |a 本书是国际上第一本系统介绍三维存储器的专业书籍,包括了3D NAND,新型3D NAND架构,三维RRAM,算法,ECC和系统架构等。本书覆盖面广,内容新,对于研究存储器的研究人员和学生是一本必不可少的好书。
- 410 _0 |1 2001 |a 新视野电子电气科技丛书
- 500 10 |a 3D flash memories |A 3d Flash Memories |m Chinese
- 606 0_ |a 集成芯片 |A ji cheng xin pian |x 研究
- 701 _1 |a 米凯洛尼 |A mi kai luo ni |g (Micheloni, Rino) |4 著
- 702 _0 |a 吴华强 |A wu hua qiang |4 译
- 702 _0 |a 高滨 |A gao bin |4 译
- 702 _0 |a 钱鹤 |A qian he |4 译
- 801 _0 |a CN |b NMU |c 20200511
- 801 _2 |a CN |b PUL |c 20200702
- 905 __ |a AUSTL |d TN43/M453