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• 010 __ |a 978-7-122-34920-0 |b 精装 |d CNY98.00

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• 200 1_ |a 高比表面积碳化硅 |A gao bi biao mian ji tan hua gui |d = High specific surface area silicon carbide |f 郭向云编著 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 化学工业出版社 |d 2020

• 215 __ |a 169页 |c 图 |d 25cm

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 高比表面积碳化硅是最近十几年来逐渐引起人们重视的一种新材料, 具有堆积密度低 (约0.2g/cm3)、比表面积大 (>30m2/g) 的特性, 是一种性能优异的载体材料。本书系统地介绍了高比表面积碳化硅的制备方法, 以及高比表面积碳化硅作为载体材料在多相催化、光催化和电催化等领域应用的研究进展。为了让读者更全面地了解高比表面积碳化硅材料, 对其在电磁波吸收领域的应用情况也作了一些简单介绍。

• 510 1_ |a High specific surface area silicon carbide |z eng

• 606 0_ |a 碳化硅纤维 |A tan hua gui xian wei |x 材料制备

• 690 __ |a TQ343 |v 5

• 701 _0 |a 郭向云 |A guo xiang yun |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20191209

• 905 __ |a AUSTL |d TQ343/G897