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• 005 20241111163200.0

• 010 __ |a 978-7-111-74202-9 |d CNY89.00

• 100 __ |a 20241008d2024 em y0chiy50 ea

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• 102 __ |a CN |b 110000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 半导体干法刻蚀技术 |A ban dao ti gan fa ke shi ji shu |f (日) 野尻一男著 |g 王文武 ... [等] 译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2024.01

• 215 __ |a X, 161页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 集成电路科学与工程丛书 |A ji cheng dian lu ke xue yu gong cheng cong shu

• 300 __ |a 泛林集团日本公司CTO四十多年研发经验的结晶系统理解刻蚀基础、设备及应用的实践指南

• 305 __ |a 据原书第2版译出

• 305 __ |a 由Gijutsu-Hyoron Co., Ltd.授权出版

• 312 __ |a 原文题名取自封面

• 314 __ |a 野尻一男, 1973年于群马大学工学部电子工学科本科毕业, 1975年于群马大学工学研究科硕士毕业。1975年加入日立制作所, 在半导体事业部从事CVD、器件集成、干法刻蚀的研究开发 ; 特别是对ECR等离子刻蚀和充电损伤进行了开创性研究 ; 作为技术开发领域的领导者, 他还担任过多个管理职位。王文武, 研究员、博士生导师, 现任职于中国科学院重大科技任务局。2006年于日本东京大学获得工学博士学位。长期致力于集成电路先进工艺与器件技术研究, 先后主持多项国家级科研任务, 发表论文两百余篇, 授权发明专利六十余项。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书不仅介绍了半导体器件中所涉及材料的刻蚀工艺, 而且对每种材料的关键刻蚀参数、对应的等离子体源和刻蚀气体化学物质进行了详细解释。本书讨论了具体器件制造流程中涉及的干法刻蚀技术, 介绍了半导体厂商实际使用的刻蚀设备的类型和等离子体产生机理, 例如电容耦合型等离子体、磁控反应离子刻蚀、电子回旋共振等离子体和电感耦合型等离子体, 并介绍了原子层沉积等新型刻蚀技术。

• 410 _0 |1 2001 |a 集成电路科学与工程丛书

• 500 10 |a はじめての半導体ドライエッチング技術 |A はじめてのban Dao Tiドライエッチングji Shu |m Chinese

• 606 0_ |a 半导体技术 |A ban dao ti ji shu |x 干法刻蚀

• 690 __ |a TN305.7 |v 5

• 701 _0 |a 野尻一男, |A ye kao yi nan |f 1973- |4 著

• 702 _0 |a 王文武 |A wang wen wu |4 译

• 801 _0 |a CN |b 辽批 |c 20241008

• 905 __ |a AUSTL |d TN305.7/Y467