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• 200 1_ |a 多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用 |A duo chi du mo ni fang fa zai ban dao ti cai liao wei yi sun shang yan jiu zhong de ying yong |f 贺朝会 ... [等] 著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2023

• 215 __ |a 198页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 辐射环境模拟与效应丛书 |A fu she huan jing mo ni yu xiao ying cong shu

• 304 __ |a 题名页题其余责任者: 唐杜, 臧航, 邓亦凡, 田赏

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书系统介绍了用于材料位移损伤研究的多尺度模拟方法，包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等，模拟尺寸从原子尺度的10-10m到百纳米，时间从亚皮秒量级到106s，并给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓材料位移损伤研究中的应用，揭示了典型半导体材料的位移损伤机理和规律，在核技术和辐射物理学科的发展、位移损伤效应研究、人才培养等方面具有重要的学术意义和应用价值。

• 410 _0 |1 2001 |a 辐射环境模拟与效应丛书

• 606 0_ |a 半导体材料 |A ban dao ti cai liao |x 损伤 |x 研究

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 701 _0 |a 贺朝会 |A He Chao Hui |4 著

• 701 _0 |a 唐杜 |A tang du |4 著

• 701 _0 |a 臧航 |A zang hang |4 著

• 801 _0 |a CN |b 淮南新华书店有限公司 |c 20251107

• 905 __ |a AUSTL |d TN304/H219