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• 000 01778nam0 2200349 450

• 001 0000425201

• 005 20221103161100.0

• 010 __ |a 978-7-5114-6521-4 |d CNY88.00

• 099 __ |a CAL 012022025905

• 100 __ |a 20220223d2021 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 氮化镓晶体生长技术 |A dan hua jia jing ti sheng zhang ji shu |f (日) 德克·埃伦特劳特, (德) 埃尔克·迈斯纳, (波) 迈克尔·博科夫斯基著 |d = Technology of gallium nitride crystal growth |f Dirk Ehrentraut, Elke Meissner, Michal Bockowski |g 王党会, 许天旱译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 中国石化出版社 |d 2021

• 215 __ |a 232页 |c 图 |d 26cm

• 300 __ |a 西安石油大学“优秀学术著作出版基金”资助项目

• 305 __ |a 据2010年英文版译出

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书内容涵盖了第三代宽禁带半导体材料GaN晶体的生长方法、原理及实现技术，包括GaN晶体的应用前景、GaN晶体的卤化物气相外延生长技术、籽晶法生长Gain晶体、真空辅助技术生长自支撑GaN衬底、卤化物气相外延生长非极性与半极性CaN晶体、金属有机化学气相外延的高速率生长CaN晶体、热氨法生长GaN晶体、高/低压环境下的GaN晶体生长技术、Na流量法生长大尺寸GaN技术简介及GaN晶体的表征方法等内容。

• 333 __ |a 本书适用于微电子与半导体材料与器件、材料相关专业的高年级本科生及研究生

• 500 10 |a Technology of gallium nitride crystal growth |A Technology Of Gallium Nitride Crystal Growth |m Chinese

• 606 0_ |a 氮化镓 |A dan hua jia |x 晶体生长 |x 工艺学

• 690 __ |a O782 |v 5

• 701 _1 |a 埃伦特劳特 |A ai lun te lao te |g (Ehrentraut, Dirk) |4 著

• 701 _1 |a 迈斯纳 |A mai si na |g (Meissner, Elke) |4 著

• 701 _1 |a 博科夫斯基 |A bo ke fu si ji |g (Bockowski, Michal) |4 著

• 702 _0 |a 王党会 |A wang dang hui |4 译

• 702 _0 |a 许天旱 |A xu tian han |4 译

• 801 _0 |a CN |b WHUTL |c 20220331

• 905 __ |a AUSTL |d O782/A493