机读格式显示(MARC)

• 000 01395nam0 2200277 450

• 001 0000316468

• 005 20200520101700.0

• 010 __ |a 978-7-03-058998-9 |b 精装 |d CNY360.00

• 099 __ |a CAL 012018191565

• 100 __ |a 20181122d2019 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 晶体生长原理与技术 |A jing ti sheng zhang yuan li yu ji shu |d = Principle and technology of crystal growth |f 介万奇编著 |z eng

• 205 __ |a 第2版

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2019

• 215 __ |a xiii, 779页 |c 图 |d 27cm

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。第一篇为晶体生长的基本原理，分5章对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为(传质、传热、对流)、化学基础问题(材料的提纯与合成问题)以及物理基础(电、磁、力的作用原理)的综合分析。第三篇为晶体生长技术，分4章分别对以 Bridgman法为主的熔体法晶体生长、以 Czochralski方法为主的熔体法晶体生长、溶液法晶体生长以及气相晶体生长技术与最新发展进行介绍。第四篇分2章分别对晶体生长过程中缺陷的形成与控制和晶体的结构与性能表征方法进行论述。

• 510 1_ |a Principle and technology of crystal growth |z eng

• 606 0_ |a 晶体生长 |A jing ti sheng zhang

• 690 __ |a O78 |v 5

• 701 _0 |a 介万奇 |A jie wan qi |4 编著

• 801 _0 |a CN |b NMU |c 20181212

• 905 __ |a AUSTL |d O78/J858B