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• 010 __ |a 7-03-018242-1 |d CNY35.00 |z 978-7-03-018242-5

• 100 __ |a 20070822e2007 ekmy0chiy50 ba

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• 200 1_ |a 纳米晶体管 |A Na Mi Jing Ti Guan |e 器件物理学, 建模和仿真 |d = Nanoscale transistors |e Device physics, modeling and simulation |f Mark Lundstrom, Jing Guo著 |z chi

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2007.1

• 215 __ |a 217页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 微纳技术著作丛书 |A wei na ji shu zhu zuo cong shu |e 影印版

• 314 __ |a 责任者Lundstrom规范汉译姓: 伦德斯特姆; 编目员自译Jing Guo汉译姓为: 郭晶

• 320 __ |a 有书目和索引

• 330 __ |a 近几十年来, 晶体管的尺度发展一直是推动电子学的动力, 各种分子尺度的器件已经出现, 甚至有取代硅晶体管的趋势。本书详细介绍了纳米晶体管的理论、建模与仿真, 内容包括弹道纳米晶体管的弹道传输和量子效应, MOSFET的散射理论等。为了详细说明纳米晶体管, 本书还提供了已被详尽数值仿真所证实的简单的物理图片及半解析模型。

• 410 _0 |1 2001 |a 微纳技术著作丛书

• 510 1_ |a Device physics modeling and simulation

• 517 1_ |a 器件物理学, 建模和仿真 |A Qi Jian Wu Li Xue , Jian Mo He Fang Zhen

• 606 0_ |a 纳米材料 |A na mi cai liao |x 晶体管 |x 英文

• 690 __ |a TN325 |v 4

• 701 _1 |a 伦德斯特姆 |A lun de si te mu |g (Lundstrom, Mark) |4 著

• 701 _0 |a 郭晶 |A guo jing |4 著

• 801 _0 |a CN |b 三新书业 |c 20070822

• 801 _2 |a CN |b AUSTL |c 20071011

• 905 __ |a AUSTL |d TN325/L261