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• 005 20211020093800.0

• 010 __ |a 978-7-111-65981-5 |d CNY99.00

• 100 __ |a 20210918d2020 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c inc

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 用于集成电路仿真和设计的FinFET建模 |A yong yu ji cheng dian lu fang zhen he she ji de FinFET jian mo |e 基于BSIM-CMG标准 |f (印度) 尤盖希·辛格·楚罕 ... [等] 著 |g 陈铖颖, 张宏怡, 荆有波译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2020.09

• 215 __ |a 239页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 微电子与集成电路先进技术丛书 |A wei dian zi yu ji cheng dian lu xian jin ji shu cong shu

• 304 __ |a 题名页题其余责任者: 达森·杜安·卢, 史利南库马尔·维努戈帕兰, 苏拉布·坎德瓦尔, 胡安·帕布鲁·杜阿尔特, 纳韦德·帕瓦多斯等

• 306 __ |a 由Elsevier Inc.授权出版

• 312 __ |a 英文题名取自封面

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书从三维结构的原理、物理效应入手, 详细讨论了FinFET紧凑模型 (BSIM-CMG) 产生的背景、原理、参数以及实现方法 ; 同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。本书避开了繁杂的公式推导, 而进行了更为直接的机理分析, 力求使得读者从工艺、器件层面理解BSIM-CMG的特点和使用方法。

• 410 _0 |1 2001 |a 微电子与集成电路先进技术丛书

• 510 1_ |a Using the BSIM-CMG standard |z eng

• 517 1_ |a 基于BSIM-CMG标准 |A ji yu BSIM-CMG biao zhun

• 606 0_ |a 集成电路 |A ji cheng dian lu |x 电路设计 |x 系统建模

• 690 __ |a TN402 |v 5

• 701 _1 |a 楚罕 |A chu han |g (Chauhan, Yogesh Singh) |4 著

• 702 _0 |a 陈铖颖 |A chen cheng ying |4 译

• 702 _0 |a 张宏怡 |A zhang hong yi |4 译

• 702 _0 |a 荆有波 |A jing you bo |4 译

• 801 _0 |a CN |b 辽批 |c 20210918

• 905 __ |a AUSTL |d TN402/C371