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• 010 __ |a 978-7-5650-0708-8 |d CNY22.00

• 099 __ |a CAL 012012207288

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• 200 1_ |a TiO2纳米管阵列的沉积改性与物性研究 |A TiO2 na mi guan zhen lie de chen ji gai xing yu wu xing yan jiu |f 盘荣俊, 吴玉程著

• 210 __ |a 合肥 |c 合肥工业大学出版社 |d 2012

• 215 __ |a 144页 |c 图 |d 24cm

• 304 __ |a 正题名中的“2”为“O”的右下标

• 320 __ |a 有书目 (第113-144页)

• 330 __ |a 本书从有利于后续功能化改性的纳米管阵列的制备出发，通过掌握CdS及CdSe在TiO2纳米管内的沉积机理，实现其在纳米管内的可控沉积。然后将特定功函的金属沉积在CdSe/CdS/TiO2材料上。改性过程将窄带半导体材料的可控沉积、改性成分长效保护、异质结/Schottky结等多重技术结合起来，探求TiO2纳米管阵列改性材料的性能与各相关参数的关系及其电荷传输机制，将为纳米TiO2光催化剂、光电转换器件等的发展开辟一个新的方向，为设计和制备具有良好光电转换性能、光催化性能的器件和新型功能薄膜提供依据。

• 606 0_ |a 二氧化钛 |A er yang hua tai |x 纳米材料 |x 研究

• 690 __ |a TB383 |v 5

• 701 _0 |a 盘荣俊, |A pan rong jun |f 1975- |4 著

• 701 _0 |a 吴玉程, |A wu yu cheng |f 1962- |4 著

• 801 _0 |a CN |b ZJU |c 20120612

• 905 __ |a AUSTL |d TB383/P681