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• 000 01307nam 2200325 450

• 001 0000449150

• 005 20231221085100.0

• 010 __ |a 978-7-03-056687-4 |d CNY180.00

• 100 __ |a 20180403d2018 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 忆阻器导论 |A yi zu qi dao lun |f 缪向水 ... [等] 编著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2018

• 215 __ |a x, 432页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 存储器科学与技术丛书 |A cun chu qi ke xue yu ji shu cong shu

• 304 __ |a 题名页题: 缪向水, 李祎, 孙华军, 薛堪豪编著

• 312 __ |a 英文并列题名取自封面

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书在全面阐述忆阻器的基本理论、发展历史及趋势的基础上, 从忆阻器材料体系、器件设计及集成工艺等方面系统论述忆阻器的物理机制、器件模型和实现方法, 并详细介绍忆阻器在可编程模拟电路、类脑神经形态计算, 以及非易失性逻辑运算等新兴信息存储与处理融合领域的重要应用, 最后对忆阻与其他物理效应耦合的多功能器件的未来发展前景进行探讨。

• 410 _0 |1 2001 |a 存储器科学与技术丛书

• 510 1_ |a Introduction to memristor |z eng

• 606 0_ |a 非线性电阻器 |A fei xian xing dian zu qi

• 690 __ |a TM54 |v 5

• 701 _0 |a 缪向水 |A miao xiang shui |4 编著

• 701 _0 |a 李祎 |A li yi |4 编著

• 701 _0 |a 孙华军 |A sun hua jun |4 编著

• 801 _0 |a CN |b 湖北三新 |c 20180403

• 905 __ |a AUSTL |d TM54/M892