机读格式显示(MARC)

• 000 01262nam0 2200301 450

• 001 0000393732

• 005 20211014095500.0

• 010 __ |a 978-7-5606-5951-0 |d CNY20.00

• 099 __ |a CAL 012021040678

• 100 __ |a 20210315d2020 ekmy0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 610000

• 105 __ |a a a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 改性锗半导体物理 |A gai xing zhe ban dao ti wu li |f 宋建军, 冒剑军, 薛笑欢编著

• 210 __ |a 西安 |c 西安电子科技大学出版社 |d 2020

• 215 __ |a 106页 |c 图 |d 26cm

• 300 __ |a 西安电子科技大学研究生精品教材建设项目

• 320 __ |a 有书目 (第106页)

• 330 __ |a 本书主要面向微电子学与固体电子学专业, 讲解介绍改性Ge半导体物理相关内容, 不仅可拓展相关读者的知识面, 更可为读者从事相关研究提供重要技术参考。本书共7章, 包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗mMOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习, 可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。

• 333 __ |a 高等院校微电子学与固体电子学专业研究生

• 606 0_ |a 锗 |A du |x 改性 |x 半导体物理

• 690 __ |a TN304.1 |v 5

• 701 _0 |a 宋建军 |A song jian jun |4 编著

• 701 _0 |a 冒剑军 |A mao jian jun |4 编著

• 701 _0 |a 薛笑欢 |A xue xiao huan |4 编著

• 801 _0 |a CN |b SEU |c 20210330

• 905 __ |a AUSTL |d TN304.1/S421