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• 200 1_ |a 忆阻电路与多稳定性 |A Yi Zu Dian Lu Yu Duo Wen Ding Xing |f 包伯成, 徐权, 包涵著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2018

• 215 __ |a 184页,[17]页图版 |c 图 |d 24cm

• 320 __ |a 有书目 (第168-175页)

• 330 __ |a 本书基于新建的各种忆阻模拟器, 提出多种新颖的忆阻电路与系统, 并开展相应的多稳定性分析。内容包括: 忆阻模拟器的数学建模与特征分析, 忆阻电路与系统的电路综合、数学建模与稳定性分析, 忆阻电路与系统多稳定性现象的数值仿真、电路仿真与硬件实验。各章节内容具有一定的独立性, 读者可以参照不同章节内容对忆阻电路与系统开展相应的多稳定性研究。

• 606 0_ |a 电阻电路 |A Dian Zu Dian Lu |x 稳定性

• 690 __ |a TM13 |v 5

• 701 _0 |a 包伯成 |A Bao Bo Cheng |4 著

• 701 _0 |a 徐权 |A Xu Quan |4 著

• 701 _0 |a 包涵 |A Bao Han |4 著

• 801 _0 |a CN |b 安徽时代 |c 20181029

• 905 __ |a AUSTL |d TM13/B144