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- 010 __ |a 978-7-03-061432-2 |b 精装 |d CNY98.00
- 100 __ |a 20200904d2020 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 晶体生长微观机理及晶体生长边界层模型 |A jing ti sheng zhang wei guan ji li ji jing ti sheng zhang bian jie ceng mo xing |d = Microcosmic mechanism of crystal growth and boundary layer model of crystal growth |f 殷绍唐著 |z eng
- 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2020.08
- 215 __ |a x, 161页, [6] 页图版 |c 图 |d 24cm
- 306 __ |a 国家科学技术学术著作出版基金资助出版
- 330 __ |a 本书突破了晶体生长机理研究的传统思维, 采用高温激光显微拉曼光谱和同步辐射X射线衍射等现代观测技术, 从微观尺度上, 原位实时观测晶体生长过程中微观结构的演化。发现了晶体熔融生长时, 熔体和晶体之间存在熔体结构向晶体结构过渡的晶体生长边界层, 在边界层内, 生长基元已具有单胞结构。生长晶面电荷静电场的计算, 证明了生长界面上存在周期性丘状网格静电场。生长基元在界面静电场的作用下的取向获得调整, 并在静电力的作用下准确叠合到生长界面的格位上。
- 510 1_ |a Microcosmic mechanism of crystal growth and boundary layer model of crystal growth |z eng
- 606 0_ |a 晶体生长 |A jing ti sheng zhang |x 机理
- 606 0_ |a 晶体生长 |A jing ti sheng zhang |x 边界层 |x 模型
- 701 _0 |a 殷绍唐 |A yin shao tang |4 著
- 801 _0 |a CN |b 安徽时代 |c 20210713
- 905 __ |a AUSTL |d O78/Y763