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• 010 __ |a 978-7-03-067440-1 |d CNY150.00

• 099 __ |a CAL 012021051018

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 宽禁带半导体电子材料与器件 |A kuan jin dai ban dao ti dian zi cai liao yu qi jian |f 沈波, 唐宁编著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2021

• 215 __ |a xi, 316页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 先进功能材料丛书 |A xian jin gong neng cai liao cong shu

• 312 __ |a 英文并列题名取自封面

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 宽禁带半导体电子材料与器件沈波唐宁编著北京宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质，不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性，而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的最优选半导体体系，在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。全书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件，从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。

• 333 __ |a 从事半导体材料领域研究和生产的科技工作者、企业工程师、研究生和高年级大学生

• 410 _0 |1 2001 |a 先进功能材料丛书

• 510 1_ |a Electronic materials and devices of wide band gap semiconductors |z eng

• 606 0_ |a 禁带 |A jin dai |x 半导体材料

• 606 0_ |a 禁带 |A jin dai |x 半导体器件

• 690 __ |a TN304.2 |v 5

• 701 _0 |a 沈波 |A shen bo |4 编著

• 701 _0 |a 唐宁 |A tang ning |4 编著

• 801 _0 |a CN |b WHUTL |c 20210512

• 905 __ |a AUSTL |d TN304.2/S156