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• 005 20210928145200.0

• 010 __ |a 978-7-03-066300-9 |d CNY88.00

• 099 __ |a CAL 012020399332

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• 200 1_ |a 短沟道MOSFET的高频噪声机理分析与表征 |A duan gou dao MOSFET de gao pin zao sheng ji li fen xi yu biao zheng |f 王军著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2020

• 215 __ |a 149页 |c 图 |d 24cm

• 312 __ |a 英文并列题名取自封面

• 320 __ |a 有书目 (第145-149页) 和索引

• 330 __ |a 本书针对短沟道MOSFET的高频噪声机理分析和模型表征，以不同研究阶段采用的不同方法为脉络，从新型器件研发初始阶段的仿真模拟，递进到基于物理的理论数学模型推导和基于样片测量的实验研究与半经验模型表征，揭示了短沟道器件与长沟道器件高频热噪声机理完全不同的偏置不守恒特性和频率依赖性。最后，介绍了人工智能技术在器件噪声建模中的应用。

• 510 1_ |a Analysis and characterization of high frequency noise mechanism of short channel mosfet |z eng

• 606 0_ |a 微电子技术 |A wei dian zi ji shu |x 电子器件 |x 高频 |x 噪声 |x 研究

• 690 __ |a TN4 |v 5

• 701 _0 |a 王军 |A wang jun |4 著

• 801 _0 |a CN |b NMU |c 20201214

• 905 __ |a AUSTL |d TN4/W434