机读格式显示(MARC)

• 000 01634nam0 2200313 450

• 001 0000472103

• 005 20240528102200.0

• 010 __ |a 978-7-5478-5721-2 |d CNY128.00

• 099 __ |a CAL 012022113899

• 100 __ |a 20220902d2022 ekmy0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 310000

• 105 __ |a ak a 001yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 极紫外光刻 |A ji zi wai guang ke |f (美) 哈利·杰·莱文森著 |d = Extreme ultraviolet lithography |f Harry J. Levinson |g 高伟民译 |z eng

• 210 __ |a 上海 |c 上海科学技术出版社 |d 2022

• 215 __ |a 206页 |c 图 |d 24cm

• 300 __ |a 元基石

• 305 __ |a 据原书2020年英文版译出

• 320 __ |a 有书目和索引

• 330 __ |a 本书是一本论述极紫外光刻技术的最新的专著,该书全面而又精炼地介绍了极紫外光刻技术的各个方面及其发展历程,内容不但涵盖极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻等技术内容,还介绍了极紫外光刻生态系统的其他方面,如极紫外光刻工艺特点和工艺控制,极紫外光刻量测的特殊要求,以及对技术发展路径有着重要影响的极紫外光刻的成本分析等内容,最后作者还讨论了满足未来的芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术发展方向。

• 333 __ |a 本书可作为集成电路、微纳电子、光电工程等专业本科生的参考教材,芯片制造、半导体设备、光刻技术等相关方面的技术和管理人员的参考书,也可供短波光学、激光与物质相互作用、激光等离子体、极紫外光辐射等领域的研究生和专业研究人员参考

• 500 10 |a Extreme ultraviolet lithography |A Extreme Ultraviolet Lithography |m Chinese

• 606 0_ |a 紫外线 |A zi wai xian |x 光刻系统 |x 研究

• 690 __ |a TN305.7 |v 5

• 701 _1 |a 莱文森 |A lai wen sen |g (Levinson, Harry J.) |4 著

• 702 _0 |a 高伟民 |A gao wei min |4 译

• 801 _0 |a CN |b NJU |c 20221114

• 905 __ |a AUSTL |d TN305.7/L861