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- 000 01105nam0 2200277 450
- 010 __ |a 978-7-111-63407-2 |d CNY59.00
- 100 __ |a 20191115d2019 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a IGBT疲劳失效机理及其健康状态监测 |A IGBT pi lao shi xiao ji li ji qi jian kang zhuang tai jian ce |f 肖飞 ... [等] 编著
- 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2019
- 215 __ |a 232页 |c 图 |d 24cm
- 304 __ |a 题名页题其余责任者:刘宾礼,罗毅飞,黄永乐
- 330 __ |a 本书通过详细分析IGBT芯片与封装疲劳失效机理,在研究失效特征量随疲劳老化时间变化规律的基础之上,通过将理论分析与解析描述相结合,建立了IGBT相关电气特征量的健康状态监测方法,对处于不同寿命阶段的IGBT器件健康状态进行有效评估。
- 606 0_ |a 绝缘栅场效应晶体管 |A jue yuan shan chang xiao ying jing ti guan |x 疲劳机理 |x 监测
- 701 _0 |a 肖飞 |A Xiao Fei |4 编著
- 701 _0 |a 刘宾礼 |A Liu Binli |4 编著
- 701 _0 |a 罗毅飞 |A Luo Yifei |4 编著
- 801 _0 |a CN |b NEU |c 20200102
- 905 __ |a AUSTL |d TN386.2/X316