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• 001 0000346162

• 005 20200907150700.0

• 010 __ |a 978-7-111-64029-5 |d CNY150.00

• 099 __ |a CAL 012020021527

• 100 __ |a 20191224d2020 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 功率半导体器件 |A Gong Lv Ban Dao Ti Qi Jian |e 原理、特性和可靠性 |f (德) 约瑟夫·卢茨 ... [等] 著 |d = Semiconductor power devices |e physics, characteristics, reliability |f Josef Lutz ... [et. al] |g 卞抗译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2020

• 215 __ |a XVIII, 554页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 新型电力电子器件丛书 |A Xin Xing Dian Li Dian Zi Qi Jian Cong Shu

• 304 __ |a 题名页题其余责任者: 海因里希·施兰格诺托, 乌维·朔伊尔曼, 里克·德·当克尔 ; 其余译者: 杨莺, 刘静, 蒋荣舟

• 305 __ |a 据原书第2版译出

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说，在同类专业书籍中是不多见的。本书内容新颖，紧跟时代发展，除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外，还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件，颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的最新成果，如SiC，GaN器件，以及场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书，相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。

• 333 __ |a 高等院校相关专业师生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员等

• 410 _0 |1 2001 |a 新型电力电子器件丛书

• 500 10 |a Semiconductor power devices : physics, characteristics, reliability |A Semiconductor Power Devices : Physics, Characteristics, Reliability |m Chinese

• 517 1_ |a 原理、特性和可靠性 |A Yuan Li 、te Xing He Ke Kao Xing

• 606 0_ |a 功率半导体器件 |A Gong Lv Ban Dao Ti Qi Jian

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _1 |a 卢茨 |A Lu Ci |g (Lutz, Josef) |4 著

• 701 _1 |a 施兰格诺托 |A Shi Lan Ge Nuo Tuo |g (Schlangenotto, Heinrich) |4 著

• 701 _1 |a 朔伊尔曼 |A Shuo Yi Er Man |g (Scheuermann, Uwe) |4 著

• 702 _0 |a 卞抗 |A Bian Kang |4 译

• 801 _0 |a CN |b HM |c 20200102

• 905 __ |a AUSTL |d TN303/L179-2