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• 200 1_ |a 半导体中离子注入 |A ban dao ti zhong li zi zhu ru |f (英)卡特(Carter，G.)，格兰特(Grant，W.A.)著 |g 张光华译

• 210 __ |a 北京 |c 国防工业出版社 |d 1982.8

• 215 __ |a 245页 |d 21厘米

• 692 __ |a 73.7214

• 701 _1 |a 卡特 |A Ka Te |b G. |d Carter |c 英 |4 著

• 701 _1 |a 格兰特 |A Ge Lan Te |b W.A. |d Grant

• 702 _0 |a 张光华 |A Zhang Guang Hua |4 译

• 702 _0 |a 赵越 |A Zhao Yue

• 801 _0 |a CN |b AUSTL |c 20200930

• 905 __ |a AUSTL |d 73.7214/24