机读格式显示(MARC)

• 000 02050nam 2200361 450

• 001 0000288049

• 005 20181108103000.0

• 010 __ |a 978-7-111-59273-0 |d CNY125.00

• 099 __ |a CAL 012018068413

• 100 __ |a 20180605d2018 ekmy0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a af z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 集成功率器件设计及TCAD仿真 |A ji cheng gong lv qi jian she ji ji TCAD fang zhen |f (加) 付越 ... [等] 著 |g 杨兵译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2018

• 215 __ |a XIII, 321页, [8] 页图版 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 微电子与集成电路先进技术丛书 |A wei dian zi yu ji cheng dian lu xian jin ji shu cong shu

• 304 __ |a 题名页题其余责任者 : (加) 李占明, (加) 吴卫东, (加) 约翰尼 K.O.辛(Johnny K. O. Sin)

• 305 __ |a 据2014年英文版译出

• 306 __ |a 由Taylor & Francis出版集团旗下，CRC出版公司授权出版

• 330 __ |a 本书从电力电子到功率集成电路（PIC）、智能功率技术、器件等方面给电源管理和半导体产业提供了一个完整的描述。本书不仅介绍了集成功率半导体器件，如横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOSFET）、横向绝缘栅双极型晶体管（LIGBT）和超结LDMOSFET的内部物理现象，还对电源管理系统进行了一个简单的介绍。本书运用计算机辅助设计技术（TCAD）仿真实例讲解集成功率半导体器件的设计，代替抽象的理论处理和令人生畏的方程，并且还探讨了下一代功率器件，如氮化镓高电子迁移率功率晶体管（GaN功率HEMT）。本书内容有助于填补功率器件工程和电源管理系统之间的空白。

• 333 __ |a 本书可作为高等院校功率器件工程、电子科学与技术、电子与信息工程等专业高年级本科生和研究生参考书

• 410 _0 |1 2001 |a 微电子与集成电路先进技术丛书

• 500 10 |a Integrated power devices and TCAD simulation : devices, circuits, and systems |A Integrated Power Devices And Tcad Simulation : Devices, Circuits, And Systems |m Chinese

• 606 0_ |a 集成电路 |A ji cheng dian lu |x 功率半导体器件 |x 计算机辅助设计

• 690 __ |a TN303-39 |v 5

• 701 _0 |a 付越 |A fu yue |4 著

• 701 _0 |a 李占明 |A li zhan ming |4 著

• 701 _0 |a 吴卫东 |A wu wei dong |4 著

• 702 _0 |a 杨兵 |A yang bing |4 译

• 801 _0 |a CN |b NJU |c 20180605

• 905 __ |a AUSTL |d TN303-39/F934